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G-31D4型高精密雙面光刻機

簡介—— G-31D4型高精密光刻機 產品介紹:設備概述 本設備廣泛用于各大、中、小型企業、大專院校、科研單位,它主要用于中小規模

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G-31D4型高精密光刻機

產品介紹:

設備概述

本設備廣泛用于各大、中、小型企業、大專院校、科研單位,它主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。

主要構成

本設備為板板對準雙面曝光

主要由雙目視場CCD顯微顯示系統、二臺4"LED專用曝光頭、PLC電控系統、高精度對準工作臺、Z軸升降機構、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺等組成。

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曝光頭部件圖

IMG_256






CCD顯微系統|XYQ對準工作臺

主要功能特點

1.適用范圍廣
適用于φ100mm以下厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光,雙面可同時曝光,亦可用于單面曝光。

2.結構先進
Z
軸采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構,真空吸版,防粘片機構。

3.操作簡便
X\Y
移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式;
吸版、反吹采用按鈕方式,操作、調試、維護、修理都非常簡便。

 4. 可靠性高
采用進口(日本產)電磁閥、按鈕、定時器;采用獨特的氣動系統、真空管路系統和

精密的機械零件,使本機運行具有非常高的可靠性。
5.
特設功能
除標準承片臺外,還可以為用戶定制專用承片臺,來解決非圓形基片、碎片和底面

不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題

主要技術指標

1曝光類型:版版對準雙面曝光

2、曝光面積:110×110mm

3、曝光照度不均勻性:≤±3%

4、曝光強度:030mw/cm2可調;

5、紫外光束角:≤3?

6、紫外光中心波長:365nm

7、紫外光源壽命:≥2萬小時;

8、工作面溫度:≤30℃


9、采用電子快門;


10、曝光分辨率:1μm(曝光深度為線寬的10倍左右)


11、曝光模式:雙面同時曝光

12、對準范圍:X:±5mm Y:±5mm

13、套刻精度:1μm


14、旋轉范圍:Q向旋轉調節≤±5°


15、顯微系統:雙視場CCD系統,物鏡1.6X~10X,計算機圖像處理系統,19″液晶監視器;


16、掩模版尺寸:能真空吸附4"方形掩板,對版的厚度無特殊要求(1~3mm皆可)。


17、基片尺寸:適用于Φ3"mm圓形基片(或3"×3"mm方形基片),基片厚度≤5mm。


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