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G-30D4型高精密單面光刻機

簡介—— 一、 主要用途:本設備是我公司專門針對各生產單位對光刻機的使用特性研發的一種精密光刻機,它主要用于中小規模集成電路、半導

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G-30D4型高精密單面光刻機

產品介紹:

設備概述:

本設備為我公司專門針對各大、中、小型企業的使用特性而研發的一種高精密雙面光刻機,它主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產,它具有生產效率高、結構簡單、操作維護方便等優勢,本機不僅適合4英寸以下各型基片的曝光,也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

主要構成


主要由防震工作臺、4英寸LED專用曝光頭、氣動系統、電氣控制系統、真空管路系統、直聯式真空泵及附件箱等組成。

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曝光頭及部件圖

主要功能特點

1. 適用范圍


適用于Φ100mm以下,厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)雙面一次曝光。


2. 結構先進


本設備配置有可實現真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構;具

有真空掩膜版架、真空片吸盤。


3. 操作簡便


本設備操作簡單,調試、維護、修理等都非常簡便。


4. 設備運行穩定、可靠


采用進口電磁閥、按鈕、定時器;采用獨特的氣動系統、真空管路系統和精密的機械

零件,使本機具有非常高的可靠性。


5. 特設功能


除標準承片臺外,還可以為用戶定制專用承片臺,來解決非圓形基片、碎片和底面不平 的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題

主要技術指標

1、曝光類型:雙面,一次同時曝光(配置4LED專用曝光頭)

2、曝光面積:110×110mm

3、曝光照度不均勻性:≤±3%

4、曝光強度:030mw/cm2可調;

5、紫外光束角:≤3?

6、紫外光中心波長:365nm

7、紫外光源壽命:≥2萬小時;

8、工作面溫度:≤30

9、采用電子快門;

10、曝光分辨率:2μm(曝光深度為線寬的10倍左右)

11、曝光方式:接觸式曝光

12、掩模版尺寸:≤127×127mm

13、基片尺寸:≤ Φ100mm;

14、基片厚度:≤5 mm

15、曝光定時:0999.9秒可調;



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